رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM7N65ACI C0G
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM7N65ACI C0G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
المخزون:
12898788
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM7N65ACI C0G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.45Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1406 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TSM7N65ACI C0G-DG
TSM7N65ACIC0G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK8A65W,S5X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
50
DiGi رقم الجزء
TK8A65W,S5X-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMG3413L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
TSM190N08CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
TSM6NB60CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
